Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками

Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые явления, создать мощные лазеры, конкурирующие с твердотельными. Рассмотрены известные соединения АIIIВV и АIIВVI, а также новые трех- и четырехкомпонентные "идеальные" твердые растворы. В условиях интенсивного возбуждения обнаружено новое явление — атермический импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные явления и спектрально-временные характеристики излучения с разрешением до 10–11 с. Рассмотрены возможные физические модели этих явлений.

Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался.
Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники.

Список литературы

1. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники. М. Нау-ка, 1967. С. 415.
2. Roosbroeck N., Shockley W. // Phys. Rev. 1954. Vol. 94. N 6. P. 1558–1560.
3. Мосс Т., Бароел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-ника. М.: Мир, 1976. С. 431.
4. Eagles D.M. // J. Phys. Chem. Solida. 1960. Vol. 16. P. 76–83.
5. Gallaway I. // J. Phys. Chem. Solida. 1963. Vol. 24. N 8. P. 1063–1064.
6. Dumke W.P. // Phys. Rev. 1962. Vol. 127. N 5. P. 1559–1563.
7. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Трукан М.К. // ФТП. 1974. Т. 8. № 3. С. 561–565.
8. Галкин Г.Н., Харахорин Ф.Ф., Шатковский Е.В. // ФТП. 1971. Т. 5. № 3. С. 442–448.
9. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. C. 562.
10. Dumke W.P. // Phys. Rev. 1963. Vol. 132. N 5. P. 1998–2002.
11. Lax M. // Chem. Phys. 1952. Vol. 20. N 11. Р. 1752–1760.
12. Lax M. // Phys. Rev. 1960. Vol. 119. N 5. P. 1502–1523.
13. Beattie A.R., Smith G. // Phys. Stat. Solid. 1967. Vol. 19. N 2. P. 577–586.
14. Landsberg P.T. // J. Luminesc. 1973. Vol. 7. N 1. Р. 3.
15. Takeshima M. // J. Appl. Phys. 1972. Vol. 43. N 10. P. 4114–4119.
16. Михайлова М.П., Рогачев А.А., Ясеневич И.Н. // ФТП. 1976. Т. 10. № 8. С. 1460.
17. Крюкова И.В., Лескович В.И., Матвеенко Е.В. // Квант. элек-троника. 1979. Т. 6. C. 1401.
18. Бонч-Бруевич В.Л., Гуляев Ю.В. // ФТТ. 1960. Т. 2. № 3. C. 465–473.
19. Weisberg L.R. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. N 13. P. 6096–6098.
20. Elliott R.I. // Phys. Rev. 1957. Vol. 108. N 6. P. 1384–1389.
21. Липник A.A. // ФТТ. 1961. Т. 3. № 8. С. 2322–2330.
22. Коваленко В.А., Крюкова И.В. // Квант. электроника. 1979. Т. 6. C. 1507.
23. Mott М.Y. // Phil. Mag. 1961. Vol. 6. P. 287–309.
24. Mott M.Y. // Contemp. Phys. 1973. Vol. 14. P. 401–413.
25. Келдыш Л.В. // Труды IX Международной конференции по фи-зике полупроводников. Л.: Наука, 1969. Т. 2. С. 1384–1392.
26. Покровский Я.В., Свистунова К.И. // Письма ЖЭТФ. 1969. Т. 9. № 7. С. 435.
27. Lampert M.A. // Phys. Rev. Lett. 1958. Vol. 1. N 12. P. 450–454.
28. Hopfield I.I. // Proc. 7th Intern. Conf. on Phys. Semicond. Paris, Dunod, 1965. P. 725.
29. Sharma R.R., Rodriges S. // Physical Review. 1967. Vol. 153. N 3. P. 823–827.
30. Рашба Э.И., Гургенишвили Г.Э. // ФТТ. 1962. Т. 4. № 4. С. 1029–1031.
31. Henry С.Н., Nassau К. // Phys. Rev. 1970. Vol. 1. N 4. P. 1628–1634.
32. Гросс Е.Ф., Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Усаров Е.Н. // ФТП. 1973. Т. 7. № 7. С. 1255–1262.
33. Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю.М. // ЖЭТФ. 1959. Т. 37. № 2. С. 587–589.
34. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. // ЖЭТФ. 1960. Т. 39. № 5. С. 1486–1487.
35. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. // ЖЭТФ. 1961. Т. 40. № 9. С. 1879–1880.
36. Попов Ю.М. // Труды ФИАН. 1963. Т. 22. C. 64.
37. Басов Н.Г., Грасюк А.З., Катулин В.А. // ДАН СССР. 1965. Т. 161. № 6. С. 1306–1307.
38. Weiser К., Woods J.F. // Appl. Phys. Lett. 1965. Т. 7. N 8. P. 225.
39. Hall R.N., Fenner G.E., Kingsley J.D., Soltis T.J., Carlson R.O. // Phys. Rev. Lett. 1962. Vol. 9. N 9. P. 366.
40. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Девятков А.Г. // ДАН СССР. 1964. Т. 155. № 4. С. 783.
41. Клейн К.А. Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. М.: Наука, 1969. Т. I. С. 629.
42. Вавилов B.C., Смирнов Л.С., Пацкевич В.М. // ДАН СССР. 1957. Т. 112. С. 1020–1023.
43. Уханов Ю.Н. Оптические свойства полупроводников. М.: Нау-ка, 1977. С. 366.
44. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Портной Е.Л. и др. // ФТП. 1968. Т. 2. № 10. С. 1545–1547.
45. Карнаухов В.Г., Крюкова И.В., Петров А.И. // ФТП. 1967. № 9. C. 1362.
46. Lacher G., Stern F. // Phys. Rev. 1964. Vol. 133. N 7A. P. 553.
47. Stern F. // Phys. Rev. 1966. Vol. 148. P. 186.
48. Stern F. // IEEE J. Quant. Electronics. 1973. Vol. QE9. P. 290.
49. Бонч-Бруевич В.Д. Вопросы электронной теории и сильнолеги-рованных полупроводников. М.: ИНИ АН СССР, 1965.
50. Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // Квант. электроника. 1979. Т. 6. C. 2425.
51. Крюкова И.В., Матвеенко Е.В., Прокофьева С.П. // Известия АН. Сер. Неорганические материалы. 1988. Т. 24. C. 1250.
52. Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // ЖТФ. 1982. Т. 52. № 10. C. 2027.
53. Богданкевич О.В., Борисов Н.А., Крюкова И.В., Лаврушин Б.М. // Phys. Stat. Sol. 1968. Vol. 29. P. 715.
54. Физика и химия соединений АIIВVI/ Пер. с англ. Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. С. 624.
55. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводнико-вые лазеры. М.: Наука, 1976.
56. Балтрамиюнас Р., Жукаускас А., Латинас В. // Письма в ЖЭТФ. 1987. Т. 46. С. 67.
57. Baltramiejunas R., Zukauskas A. // Phys. Stat. Sol (b). 1988. Vol. 149. Р. 337.
58. Shah J. // Sol. State Electron. 1978. Vol. 21. P. 43.
59. Богданкевич О.В., Донской Е.О., Коваленко В.А. и др. // Квант. электроника. 1983. Т. 10. С. 2236.
60. Behte H., Heitler W. // Proc. Poly. Soc. 1974. Vol. 146. P. 83.
61. Богданкевич О.В., Крюкова И.В. и др. // Труды XIII Междуна-родной конференции по когерентной и нелинейной оптике. Минск, 1988. Т. 3. C. 161.
62. Голубков П.П., Заворотный С.И., Овчинников А.А. // ПТЭ. 1984. № 6. С. 139.
63. Месяц Г.А. Генерирование мощных наносекундных импульсов. М.: Сов. Радио, 1974.
64. Hurwitz С.Е., Kezes B.J. // Appl. Phys. Lett. 1964. Vol. 5. N 7. Р. 139–141.
65. Cusano D.A. // Solid State Comm. 1964. N II. Р. 353–358.
66. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Лаврушин Б.М. // ФТТ. 1966. Т. 8. № 1. С. 21–23.
67. Hurwitz C.E. // Appl. Phys. Letters. 1966. Т. 9. N 12. Р. 420–423.
68. Benoit А., Guillaume C., Debever J.M. // Compt. Rend. Acad. Sci, Paris. 1964. Т. 259. Р. 2200–2203.
69. Chipaux C., Eymard R. // Phys. Stat. Sol. 1965. Т. 10. P. 165.
70. Карнаухов В.Г., Крюкова И.В., Падучих Л.В. // ФТП. 1965. Т. 7. № 11. С. 22–34.
71. Давыдов А.А., Марков Е.В. // АН СССР. Неорганические мате-риалы. 1975. Т. 11. С. 1755.
72. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Насибов А.С. и др. // Квант. элек-троника. 1974. Т. 1. № 11. С. 2521–2524.
73. Крюкова И.В. Диссертация на соискание ученой степени док-тора физико-математических наук. М.: ИАЭ им. И.В. Курчато-ва, 1981.
74. Дуденкова А.В., Никитин В.В. // В сб.: Труды IX Международ-ной конференции по физике полупроводников. Л.: Наука, 1969. С. 664–669.
75. огданкевич О.В., Борисов Н.А., Крюкова И.В., Лаврушин Б.М. // ФТП. 1968. Т. 2. № 7. С. 1017–1020.
76. Bogdankevich O.V., Borisov N.A., Krukova I.V., Lavrushin V.M. // Phys. Stat. Sol. 1968. Vol. 29. Р. 715–723.
77. Богданкевич О.В., Борисов Н.А., Крюкова И.В., Лаврушин Б.М. // В сб.: Труды IX Международной конференции по физике по-лупроводников. Л.: Наука, 1969. № 1. С. 609–615.
78. Власов А.Н., Курбатов Л.Н., Сороко-Новицкий Н.В. // ФТП. 1971. Т. 5. № 6. С. 1223–1225.
79. White A.M., Dean P.J., Asken D.J. // J. Phys. 1973. Vol. 1. Р. 243.
80. Solomon R. // Symp. on Gallium Arsenide, Texas. 1968.
81. Пилкун М. // УФН. 1969. Т. 98. № 2. С. 295–350.
82. Леванюк А.П., Осипов В.В. // ФТП. 1973. Т. 7. № 6. С. 1058–1068.
83. Dumke W.P. // Phys. Rev. 1963. Vol. 132. № 5. Р. 1998–2002.
84. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб.: Труды всесоюзной конференции по рекомбинационному излучению и полупроводниковым источникам света. Баку, 1971. С. 1–3.
85. Hill D.E. // Phys. Rev. 1964. Vol. 133. N 3А. Р. 866–872.
86. Turner W.J., Reese W.E. // J. Appl. Phys. 1964. Vol. 35. N 2. Р. 350–352.
87. Богданкевич О.В., Борисов Н.А., Мильвидский М.Г. и др. // На-учные труды Гиродмета. 1970. Т. 31. С. 281.
88. Басов Н.Г., Богданкевич O.В., Гончаров В.А., Лаврушин Б.М., Судзиловский В.O. // ДАН СССР. 1966. Т. 193. С. 1283–1288.
89. Hunsperger R., Ballantyne J. // Appl. Phys. Lett. 1967. Vol. 10. N 4. Р. 130–l32.
90. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Печенов А.Н., Насибов А.С., Фе-досеев К.П. // ЖЭТФ. 1969. Т. 55. С. 1710.
91. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Нау-ка, 1977. С. 366.
92. Богданкевич O.B., Борисов H.A., Гаврилюк Ю.Н., Крюкова И.В., Лаврушин Б.М., Петрушенко Ю.В. // ФТП. 1973. Т. 7. № 7. С. 1263–1269.
93. Богданкевич О.В., Борисов Н.А., Крюкова И.В., Лаврушин Б.М., Петрушенко Ю.В. // В сб. Всесоюзная конференция по рекомби-национному излучению и полупроводниковым источникам света. Краткое содержание докладов. Баку, 1971. С. 19–20.
94. Борисов Н.А., Лаврушин Б.М., Лебедев Д.В., Стрельченко С.С. // Квант. электроника. 1974. Т. I. № 11. С. 2399.
95. Красавина Е.М., Крюкова И.В., Петрушенко Ю.В. // В cб. Тр. I Всесоюзная научно-техническая конференции «Фотометри-ческие измерения и их метрологическое обеспечение». Тезисы докладов. М.: Изд-во стандартов, 1974. С. 74.
96. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводнико-вые лазеры. М.: Наука, 1976. С. 415.
97. Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // ЖТФ. 1982. № 10. С. 2097–2099.
98. Stern F. // IEEE J. Quant. Electron. 1973. Vol. QE9. N 2. P. 290.
99. Авдюнин Н.А., Глобин М.Ф., Смирнов В.А., Шнигер В.Э. // Физ-ХОМ. 1971. Т. 5. № 1. С. 50–157.
100. Крюкова И.В., Малышева О.В., Петрушенко Ю.В. и др. // В сб. IV Всесоюзное совещание по росту кристаллов. Содержание докладов. Ч. II. Ереван. 1972, С. 89–92.
101. Крюкова И.В., Петрушенко Ю.В., Смирнов В.А. и др. // Квант. электроника. 1974. Т. I. № 3. С. 673–675.
102. Weisberg L.R., Blank J. // J. Appl. Phys. 1963. Т. 34. N 4. Р. 1003–1009.
103. Бублик В.Г., Каратаев В.В., Кулагин Р.С. и др. // Кристалло-графия. 1973. Т. 18. № 2. С. 353–356.
104. Маделунг O. Физика полупроводниковых соединений элемен-тов III и V группы. М.: Мир, 1967. С. 477.
105. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. электро-ника. 1974. Т. 1. № I. С. 114–118.
106. Крюкова И.В., Петрушенко Ю.В. // Квант. электроника. 1976. Т. 3. № 10. С. 2205–2214.
107. Вуль А.Я., Голубев Л.В., Шаронова Л.В., Шмарцев Ю.В. // ФТП. 1970. Т. 4. № 12. С. 2347–2352.
108. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. электро-ника. 1975. Т. 2. № 1. С. 68–72.
109. Крюкова И.В., Лескович В.И., Матвеенко Е.В. // ЖТФ. 1982. Т. 10. С. 2095–2097.
110. Покровский Я.Е., Свистунова К.И., Каминский А.С. // ФТП. 1967. Т. 1. № 1. С. 34–39.
111. Effer D., Etter P. // J. Phys. Chem. Sol. 1964. Р. 451.
112. Бурдиян И.И., Мальцев С.Б., Миронов И.Ф., Шретер Ю.Г. // ФТП. 1971. Т. 5. С. 1966.
113. Краузе А.С., Шретер О.Г. // ФТП. 1971. Т. 5. № 10. С. 1912–1916.
114. Sharma R.R., Rodrigez S. // Phys. Rev., 1967. N 3. Р. 823–827.
115. Heinrich Н., Hess К., Jantsch W., Pfeiller W. // J. Phys. Chem. Sol. 1972. Vol. 33. N 2. Р. 425–432.
116. Hess K., Kahlert H. // J. Phys. Chem. Sol. 1970. Vol. 32. N 12. Р. 2262–2265.
117. Бочкарев Э.П., Брагинская А.Г., Крюкова И.В. и др. // Письма ЖТФ. 1981. Т. 7. № 23. С. 1455–1458.
118. Брагинская А.Г., Козловский В.И., Колчина Г.П. и др. // Квант. электроника. 1985. Т. 12. № 4. С. 845–851.
119. А. с. (СССР) № 186111. Попков А.Н., Брагинская А.Г., Колчи-на Г.П., Крюкова И.В., Родиченко Г.В.; Приоритет от 1.04.1982 г.
120. Beattie A.R. // Proc. R. Soc. 1959, Vol. A-249. N 1256. Р. 16–29.
121. Landsberg P.T., Adams M.I. // G. Luminese. 1973, Vol. 7. N 1. Р. 3.
122. Takeshima M. // J. Appl. Phys. 1972. Vol. 43. N 10. Р. 4114–4119.
123. Benz G., Conradt K. // Phys. Rev. 1977. Vol. 13. N 16. Р. 12
124. Takeshima M. // Phys. Rev. 1981. Vol. 23. N 2. Р. 771–786.
125. Dixon R. Proc. Jnt. Conf. semiconductors. Phys. Prague, 1966. P. 366.
126. Asabo M., Adams A.P. // IEEE. 1981. Vol. QE-17. N 5. Р. 610–619.
127. Губаров А.А., Лаврушин Б.М. и др. // Труды ФИАН. 1991. Т. 202. С. 158.
128. Гурфинкель В.И., Крюкова И.В., Лебедев В.В. и др. // Квант. электроника. 1976. Т. 3. № 7. С. 1601–1604.
129. Крюкова И.В., Лескович В.И., Матвеенко Е.В. // Квант. элек-троника. 1979. Т. 6. № 7. С. 1401–1408.
130. Алабернов О.А., Зотова Н.В., Наследов Д.Н. // ФТП. 1971. Т. 5. № 12. С. 2343–2346
131. Блаут-Блачев А.Н., Балагуров В.Н., Каратаев В.В., Омельянов-ский Э.М. // ФТП. 1975. Т. 9. № 4. С. 782–784.
132. Михайлова М.П., Рогачев А.А., Ясеневич И.Н. // ФТП. 1976. Т. 10. № 3. С. 1460–1468.
133. Голубев Г.П., Максимовский С.Н., Нолле Э.Л., Сучков А.Д. // В сб. «Экситоны в полупроводниках». М.: Наука, 1971. С. 136.
134. Власов А.Н., Курбатов Л.Н., Петрова И.Ю. и др. // Украинский физический журнал. 1969. Т. 14. № II. С. 1845–1851.
135. Курбатов Л.Н., Мащенко В.Е., Мочалкин Н.Н. // Оптика и спектроскопия. 1967. Т. ХХIII. № 3. С. 429–438
136. Бенуа Г.К., Дёвeбер Ж.М., Салван Ф. // В сб. Труды IX Между-народной конференции по физике полупроводников. М.: Нау-ка. 1969. Т. I. С. 615–621.
137. Лысенко В.Г., Ревенко В.И., Тратас Т.Г., Тимофеев В.Б. // ЖЭТФ. 1975. Т. 68. № I. С. 335–345.
138. Физика и химия соединений АIIВVI / Пер. с англ.; Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. С. 624.
139. Броуде В.Л., Тартаковский И.И., Тимофеев В.Б. // ФТП. 1972. Т. 14. № 12. С. 3531–3536.
140. Henry С.Н., Nassau К. // Phys. Rev. 1970. Vol. 1. N 4. Р. 1628–1634.
141. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // 1981. Т. 8. № 8. С. 1790–1796.
142. Крюкова И.В., Купряшина Е.С., Прокофьева С.П. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. № 9. С. 525–531.
143. Набиев Г.П., Попов Ю.М. // Труды ФИАН, 1991. Т. 202. С. 7.
144. Красавина Е.М., Крюкова И.В., Пекарь Г.С. Спонтанное и сти-мулированное излучение легированного сульфида кадмия // В сб. IV Всесоюзное совещание «Физика, химия и технические при-менения полупроводников АIIВVI». Тезисы докладов. Одесса, 1976. С. 121.
145. А. с. (СССР) № 807963. Материал для лазеров с электронным возбуждением. Г.С. Пекарь, И.В. Крюкова; Приоритет от 15 ок-тября 1979 г.
146. Крюкова И.В., Прокофьева С.В., Табунов В.П. // В сб. X Всесо-юзная научно-техническая конференция «Высокоскоростная фотография и метрология быстропротекающих процессов»: Сб. докладов. М., Изд-во стандартов, 1981. С. 84–85.
147. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. электро-ника. 1979. Т. 6. С. 1401.
148. Прокофьева С.П. Канд. дис. М., 1982.
149. Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в полупроводниках типа АIIBVI: Докт. дис. ИПАН СССР. Ленинград, 1968.
150. Хауг Г. // Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. Л.: Наука, 1968. С. 669–672.
151. Рашба Э.И., Гургенишвили Г.Э. // ФТТ. Т. 4. № 4. С. 1029–1031.
152. Yoshizawa A., Sakai Y. // Japan. J. Appl. Phys. 1974. Vol. 13. N 9. Р. 1353–1361.
153. Guillaume C.B., Debever I.M. // C.R. Gead. Sein (France), 1965. Vol. 47. P. 5428.
154. Голубев Г.П., Максимовский С.Н. и др.// Сб. «Экситоны в по-лупроводниках». М.: Наука, 1971. С. 136–139.
155. Богданкевич О.В., Крюкова И.В., Марков Е.В. и др. //Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1987. Т. 23. № 10. С. 1618–1622.
156. А. с. (СССР) № 1398489. Способ получения монокристаллов сульфида кадмия. И.В. Крюкова, Е.В. Марков, В.А. Теплиц-кий; Приоритет от 21.04.1986 г.
157. Красавина Е.М., Крюкова И.В. // Квант. электроника. 1976. Т. 3. № 11. С. 2475–2477.
158. Kumar V., Kroger F.A. // J of Solid State Chemistry. 1971. Vol. 3. № 1. Р. 387–400.
159. Акимова И.В., Березина Т.И., Шапкин П.В. // Квант. электро-ника. 1985. Т. 12. № 6. С. 1012.
160. Балтрамиюнас Р., Жукаускас А., Крюкова И.В. и др. // Труды Всесоюзного совещания «Экситоны в полупроводниках». Вильнюс, 1988. С. 170.
161. Балтрамиюнас Р., Геразимас Э., Крюкова И.В. и др. // ФТП. 1990. Т. 24. № 9. С. 1550–1556.
162. Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // Квант. электроника. 1979. Т. 6. № 11. С. 2425–2428.
163. Крюкова И.В., Матвеенко Е.В., Прокофьева С.П. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1988, Т. 24. № 8. С. 1250–1258.
164. Beni G., Rice T.M. // Phys. Rev. 18. N 2. Р. 768–785.
165. Brinkman W.F., Rice T.M. // Phys. Rev. 1973. Vol. 7. N 4. Р. 1508–1523.
166. Zimmerman R., Rosler M. // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. Vol. 76. Р. 633–645.
167. Rosler M., Zimmerman R. // Phys. Stat. sol. (b). 1977. Vol. 83. Р. 85–91.
168. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965. С. 82
169. Каминский А.С., Покровский Я.Е. // ФТП. 1970. Т. 4. № 3. С. 491–496.
170. Келдыш Л.В., Силин А.П. // ЖЭТФ. 1975. Т. 69. № 3. С. 1053–1057.
171. Shar J. // Sol. Stat. Electron. 1978. Vol. 21. N 1. Р. 43–50.
172. Козловский В.И., Насибов А.С. // Квант. электроника. 1981. Т. 9. С. 806.
173. Лаврушин Б.М., Набиев Р.Ф., Насибов А.С., Попов Ю.М. // Квант. электроника. 1985. Т. 12. С. 1084.
174. Набиев Р.Ф., Попов Ю.М. // Труды ФИ АН им. П.Н. Лебедева. 1991. Т. 7. С. 202.
175. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Паниткин Ю.Г., Тарасов М.Д. // В сб. X Всесоюзная научно-техническая конференция «Вы-сокоскоростная фотография и метрология быстропротекаю-щих процессов», 1981. Т. 1. С. 138.
176. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // В сб. X Всесоюзная научно-техническая конференция «Высокоскоро-стная фотография и метрология быстропротекающих процес-сов», 1981. Т. 1. С. 80.
177. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И. и др. // ФТП. 1968. Т. 2. № 10. С. 1545–1547.
178. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З. и др. // ФТП. 1970. Т. 4. № 9. С. 1826–1829.
179. Casly H.C., Panish M.B. // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. № 12. Р. 4910–4912.
180. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. элек-троника. 1975. Т. 2. № I. С. 68–72.
181. А. с. (СССР) № 510060. Электролюминесцентный диод / Л.М. Долгинов, М.Г. Мильвидский, В.Ю. Рогулин, Е.Г. Шев-ченко; Приоритет от 15.05.1974 г.
182. Долгинов Л.М., Елисеев О.Г., Мильвидский М.Г. // Квант. элек-троника. 1976. Т. 3. № 7. С. 1381–1393.
183. Богатов А.П., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В. и др. // Квант. электроника. 1974. Т. 1. № 10. С. 2294.
184. Полупроводниковые источники оптического диапазона длин волн: М. ВНИИОФИ. Научно-технический отчет. № 1058-к от 13/IХ-1974. М., С. 159 (науч. рук. темы Крюкова И.В).
185. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Крюкова И.В. // Квант. элек-троника, 1976. Т. 3. № 11. С. 2490–2494 (направлена в печать в сентябре 1974 г.).
186. Долгинов Л.М., Дружинина Д.В., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1976. Т. 3. № 4. С. 932–934.
187. Dolginov L.M., Druzhinina L.V., Kryukova I.V. et al. // IEEE J. Quant. Electron. 1977. Vol. QE-13. N 8. Р. 609–611.
188. Долгинов Л.М., Дружинина Д.В., Крюкова И.В. и др. // Письма ЖТФ. 1978. Т. 4. № 23. С. 1434–1438.
189. Дружинина Л.В., Крюкова И.В., Малышева О.В., Петрушен-ко Ю.В. // Труды Всесоюзной конференции по электрическим и оптическим свойствам кристаллов типа AIIIBV и сложных со-единений типа AIIBIVCV. Ашхабад, 1971. С. 142.
190. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1974. Т. I. № 1. С. 178–180.
191. Kressel H., Lockwood H.F., Nelson H. // IEEE J. Quant. Electron. 1970. Vol. QE-6. N 6. Р. 278–284.
192. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нинуа О.А., Трофим В.Г. // ФТП. 1971. Т. 5. № 7. С. 1400–1404.
193. Алферов Ж.И., Амосов В.И., Гарбузов Д.З. и др. // ФТП. 1972. Т. 6. № 10. С. 1879–1887.
194. Алферов Ж.И., Нинуа О.A. // ФТП. 1970. Т. 4. № 3. С. 618.
195. Красавина Е.М., Крюкова И.В., Матвеенко Е.В., Петрушен-ко Ю.В. // Квант. электроника. 1974. Т. I. № 12. С. 2602–2607.
196. Адамс М.И., Ландсберг П.Т. Возможность получения генера-ции в «непрямых» полупроводниках // Труды IX Международ-ной конференции по физике полупроводников. Наука, 1969. С. 654–659.
197. Клевков Ю.В., Крюкова И.В., Лескович В.И. и др. // В сб. Х Всесоюзная научно-техническая конференция «Высокоскоро-стная фотография и метрология быстропротекающих процес-сов». Тезисы докладов. М., 1981. С. 83.
198. Бурдиян И.И. // ФТТ. 1959. Т. I. № 9. С. 1360–1365.
199. Asabom, Adams A.R. // IEEE Quantum Electron. 1981. Vol. QE-17. N 5. Р. 611–619.
200. Бирюлин Ю.Ф. // ФТТ. 1977. Т. 19. № 8. С. 1555–1558.
201. Bate R.I. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. N 1. Р. 26–28.
202. Бир Г.Л. // ФТТ. 1971. Т. 13. № 2. С. 460–470.
203. Днепровская Т.С. К теории полупроводников со сложной зон-ной структурой. Дис. … канд. физ-мат. наук. М., 1971. С. 79.
204. Пол Б. // В сб. Труды IX Международной конференции по фи-зике полупроводников. Л.: Наука. 1969. С. 17–28.
205. Peterson G.A. // Radiative Recombination in Semiconductors. Paris: Dunod, 1965. Р. 771.
206. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1978. Т. 5. № 1. С. 126–128.
207. Бирюлин Ю.Ф., Шмарцев Ю.В. // ФТП. 1978. Т. 12. № 4. С. 822–824.
208. Долгинов Л.М., Крюкова И.В., Прокофьева С.П. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1981. Т. 17. № 2. С. 208–214.
209. Долгинов Л.М., Крюкова И.В., Прокофьева С.П. и др. // Письма ЖТФ. 1978. Т. 4. № 23. С. 1400–1403.
210. Долгинов Л.М., Иванов В.С., Крюкова И.В. и др. // Измеритель-ная техника. 1977. № 2. С. 41–44.
211. Разработка импульсного полупроводникового инжекционного ИК-излучателя: Научно-технический отчет ВНИИОФИ; науч. рук. темы Крюкова И.В.; шифр «Лилия». М., 1974. С. 164.
212. Буров А.А., Крюкова И.В., Крученов А.Н. и др. // В сб. X Всесо-юзная Научно-техническая конференция «Высокоскоростная фотография и метрология быстропротекающих процессов»: Тезисы докладов. М.: Изд-во стандартов, 1981. С. 79.
213. Гендель В.С., Говорков О.И., Крюкова И.В. и др. // Труды кон-ференции «Оптико-физические измерения». М.: Изд-во стан-дартов, 1977. С. 49–51.
214. Богданкевич О.В., Борисов Н.А., Лаврушин Б.М. и др. // ДАН СССР. 1971. Т. 201. № 6. С. 1316–1320.
215. Быковский Ю.А., Величанский Б.Л., Гончаров И.Г. и др. // ФТП. 1971. Т. 5. № I. С. 187–189.
216. Smit G.W. // Proc. crystal. growth. 1979. Vol. 2. Р. 309–379.
217. Богданкевич О.В., Борисов Н.А., Брюнеткин Б.А. и др. // Квант. электроника. 1978. Т. 5. С. 1310.
218. Богданкевич О.В., Брюнеткин Б.А., Дарзнек С.А. и др. // Квант. электроника, 1978. Т. 5. С. 2305.
219. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. электро-ника. 1980. Т. 7. № 3. С. 644–646.
220. Крюкова И.В., Лескович В.И., Матвеенко Е.В. // Письма ЖТФ. 1979. Т. 5. № 12. С. 717–722.
221. Бондарь С.А., Лаврушин Б.М. и др. // Квант. электроника. 1976. Т. 3. № 1. С. 94–100.
222. А. с. (СССР) 713464. В.С. Иванов, И.В. Крюкова, Б.М. Степа-нов, В.М. Тарасов, B.A. Чапнин; Приоритет от 21 июля 1977 г.
223. Долгинов Л.М., Иванов B.C., Крюкова И.В. и др. // Измеритель-ная техника. 1977. № 2. С. 41–44.
224. Власов А.Н., Курбатов Л.Н., Сороко-Новицкий Н.В. // ФТП. 1971. Т. 5. № 9. С. 1737–1740.
225. Власов А.Н., Курбатов Л.Н., Сороко-Новицкий Н.В. // № 6. С. 1223–1225.
226. Boiko G.A., Dneprovskii B.I., Kraevskii M.V. et al. // Phys. Stat. Sol (b). 1978. Vol. 85. N 11. Р. 111–119.
227. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // Квант. элек-троника. 1981. Т. 8. № 8. С. 1790–1796.
228. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Паниткин Ю.Г., Тарасов М.Д. // В сб. X Всесоюзной научно-технической конференции «Высо-коскоростная фотография и метрология быстропротекающих процессов». М., 1981. С. 138.
229. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // В сб. X Все-союзной научно-технической конференции «Высокоскорост-ная фотография и метрология быстропротекающих процес-сов». М., 1981. С. 80.
230. Коваленко В.А., Крюкова И.В. // Квант. электроника. 1979. Т. 6. № 7. С. 1507–1512.
231. Цукерман В.А. // Вестник АН СССР. 1971. Т. 11. С. 18.
232. Белкин H.B., Комяж Н.И., Пеликс E.A., Цукерман В.А. // ПТЭ. 1972. № 2. С. 1194.
233. Mott M.F. // Contemp. Phys. 1973. Vol. 14. Р. 401–413.
234. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. С. 494.
235. Mengel P., Leibing Р., Ryppel W. // Phys. Stat. Sol. 1975. Vol. 72. N 2. Р. 525–534.
236. Jacobson M.A., Michailov G.V., Razbirin B.S. et al. // Proc. XII Internat. Conf. Phys. Semicond. Stuttgart, 1974. Р. 123.
237. Козловский В.И., Насибов А.С., Печенов Л.Н., Попов Ю.М. // Квант. электроника. 1979. Т. 6. № 1. С. 189–195.
238. Бродин М.С., Воловик Н.В., Резниченко В., Страшникова М.И. // ФТП. 1981. Т. 23. № 5. С. 1318–1323.
239. Балтрамеюнас Р., Жукаускас А., Крюкова И.В. и др. // ФТП. 1990. Т. 24. № 9. С. 1550–1555.
240. Бенуа Гиймом // Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. Москва, 1968. Т. 1. С. 615–621.
241. Muller G.О., Nolle E.L., Schul G., Keber H.H. // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. Vol. 60. Р. 19.
242. Власов А.Н., Курбатов Л.Н., Петрова И.Ю. и др. // Украин-ский физический журнал. 1969. Т. 14. № 2. С. 1845–1851.
243. Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в полупроводниках типа АIIВVI. Дис. … д-ра техн. наук. Л.: ИПАН СССР, 1968.
244. Hanumara E. // Optics Commun. 1973. Vol. 9. N 4. Р. 396–399.
245. Hvan I.M. XI Intern. Conf. Phys. Semicond. Proceed. Warshava. 1972. Vol. I. Р. 697–703.
246. Thomas D.G., Hopfield J.J. // Phis. Rev. 1966. Vol. 150. № 2. Р. 680–689.
247. Бонч-Бруевич В.Л., Гуляев Ю.В. // ФТТ. 1960. Т. 2. № 3. С. 465–473.
248. Dumke W.P. // Phys. Rev. 1963. Vol. 132. N 5. Р. 1998–2002.
249. Colböwk N. // Phys. Rev. 1966. Vol. 141. N 2. Р. 742–749.
250. Zimmermann R., Rosier M. // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. Vol. 76. Р. 633–645.
251. Броуде В.Л., Коршунов В.В., Тарковский И.И., Тимофеев В.Б. // ФТТ, 1975. № 6. С. 1753.
252. Glass A.T., Guenther H.H. // Appl. Optics. 1976. Vol. 15. N 6. Р. 1510–1529.
253. Бломберген И. // Квант. электроника. 1974. Т. I. № 4. С. 786–850.
254. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводни-ковые лазеры. М.: Наука, 1976. С. 415.
255. Крюкова И.В. // Труды II Всесоюзной конференции «Физиче-ские основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев, 1986. Т. I. С. 58.
256. Антошин М.К., Красавина Е.М., Крюкова И.В., Спивак Г.В. // В сб. VII международная конференция по оптике рентгенов-ских лучей и микроанализу. Тезисы докладов. М.: Наука, 1974. С. 63–64.
257. Григорьев О.Г., Гриднева И.В., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1975. Т. 2. № 5. С. 1058–1062.
258. Антошин М.К., Красавина Е.М., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1975. Т. 2. № 9. С. 1969–1977.
259. Antoshin M.C., Krasawina E.M., Kryukowa I.V. et al. // VIII Ar-beitstagung «Elektronenmikroskopie». Berlin, 1975. Vol. 101. Р. 327.
260. Сажин Н.П., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Столяров О.Г. // ФТТ. 1966. Т. 3. № 5. С. 1539.
261. Гринберг А.А., Мехтиев Р.Ф., Рывкин С.М. и др. // ФТТ. 1967. Т. 9. № 5. С. 1390–1397.
262. Kressel Н., Mierop Н. // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38. N 13. Р. 141–147.
263. Грасюк А.З., Зубарев И.Г. // ФТП, 1969. Т. 3. № 5. С. 677–680
264. Унгер К. // В сб. Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. М.: Наука, 1969. С. 568–670.
265. Eliseev P.G. // J. Luminesc. 1973. Vol. 7. Р. 338.
266. Алешин И.В., Бонч-Бруевич A.M., Зинченко В.И. и др. // ЖЭТФ. 1973. Т. 43. № 12. С. 2625–2629.
267. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. и др. // ЖЭТФ. 1972. Т. 63. № 3. С. 1030–1035.
268. Анисимов С.И., Макшанцев Б.И. // ФТТ. 1973. Т. 15. № 4. С. 1090–1095.
269. Данилейко В.К., Маненков А.А., Прохоров А.М., Хаймов-Маль-ков В.Я. // ЖЭТФ. 1970. Т. 58. № 1. С. 31–36.
270. Макшанцев Б.И., Ковалев В.А., Леонов К.К., Ямпольский П.А. // ЖТФ. 1974. Т. 44. № 1. С. 164–172.
271. Зельдович Я.Б., Райзер Ю.П. Физика ударных волн и высокотем-пературных гидродинамических явлений. М.: Физматгиз, 1973.
272. Полупроводниковые соединения АIIIВV / Под ред. Р. Вилларсона и Х. Геринга; Пер. с англ. / Под ред. В.Н. Вигдоровича, А.Я. Нашельского. М.: Металлургия, 1967. С. 727.
273. Алешин И.В., Бонч-Бруевич A.M., Имас Я.А. и др. // ЖТФ. 1971. Т. 41. № 4. С. 820–823.
274. Квантовая электроника / Под ред. С.А. Ахманова и др. М.: Сов. энциклопедия, 1969. С. 431.
275. Действие лазерного излучения / Под ред. Ю.П. Файзера. М.: Мир, 1968. С. 1390.
276. Сухоруков А.П. // В сб. Нелинейные процессы в оптике. М.: Наука, 1970. С. 62–68.
277. Diesbergen U. // J. Naturforsch. 1963. Vol. 18a. N 2. Р. 141–142.
278. Ridley B.K. // Phys. Soc. 1963. Vol. 82. N 6. Р. 954–966.
279. Marple D. // J. Appl. Phys. 1964. Vol. 35. N 4. Р. 1241–1242.
280. Епифанцев А.С., Маненков А.А., Прохоров А.М. // Труды ФИАН. 1978. Т. 101. С. 87–129.
281. Маненков А.А. // Труды ФИАН. 1978. Т. 101. С. 3–30.
282. Луговой В.И., Прохоров A.M. // Письма ЖЭТФ. 1968. Т. 7. № 5. С. 153–155.
283. Крюкова И.В., Красавина Е.М., Чернозатонский Л.А. // Труды Всесоюзной ХII конференции по когерентной и нелинейной оптике. М., 1985. Ч. I. С. 420–421.
284. Крюкова И.В., Красавина Е.М., Чернозатонский Л.А. // Труды Всесоюзной ХII конференции по когерентной и нелинейной оптике. М., 1985. Ч. II. С. 606.
285. Бахерт Х.Ю., Богатов А.П., Елисеев П.Г. // Квант. электрони-ка. 1978. Т. 5. № 3. С. 603–608.
286. Буров А.А., Красавина Е.М., Крюкова И.В., Родиченко Г.В. // Квант. электроника. 1986. Т. 13. № 12. С. 2529–2531.
287. Красавина Е.М., Крюкова И.В. // Квант. электроника. 1979. Т. 6. № 5. С. 1109–1111.
288. Мильман Ю.В., Гриднева И.В., Крюкова И.В. и др. // ФизХОМ. 1988. № 2. С. 128–133.
289. Petroff P., Hartman R.L. // Appl. Phys. Lett. 1973. Vol. 23. N 8. P. 459.
290. Красавина Е.М., Крюкова И.В. // Квант. электроника. 1976. Т. 3. № 2. С. 2475–2477.
291. Красавина Е.М., Крюкова И.В. // В сб. III Всесоюзное совеща-ние по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Те-зисы докладов. Саласпилс, 1975. С. 67–68.
292. Красавина Е.М., Крюкова И.В. // В сб. IV Всесоюзного сове-щания «Физика, химия и техническое применение полупро-водников АIIВVI». Тезисы докладов. Одесса, 1976. С. 121.
293. Крюкова И.В., Петров В.М., Степович М.А., Фишкис Ц.Я. // В сб. Всесоюзный симпозиум по применению электронной микроскопии в современной технике. М., 1978. С. 3.
294. Богданов К.М., Клевков Ю.В., Крюкова И.В. и др. // В сб. I Всесоюзной конференции «Статистические свойства микро-структур». Тезисы докладов. М., 1979. С. 214.
295. Красавина Е.М., Крюкова И.В., Пекарь Г.С. // В сб. IV Всесо-юзного совещания «Физика, химия и технические применения полупроводников АIIВVI». Тезисы докладов. Одесса, 1976. С. 121.
296. А. с. (СССР) № 807963, Пекарь Г.С., Крюкова И.В.; Приоритет от 15.10.1979 г.
297. А. с. (СССР) № 1398489, Крюкова И.В., Марков Е.В., Теплиц-кий В.И.; Приоритет от 21.04.1986 г.
298. Guillaume С.В., Debever J.M. // C.R. Acad. Scin. (France). 1965. Vol. 47. Р. 5428.
299. Kulp B.A., Kelley R.H. // J. Appl. Phys. 1960. Vol. 31. N 6. Р. 1057–1061.
300. Schulze R.G., Kulp B.A. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. N 7. Р. 2173–2175.
301. Канеев M.A., Мащенко В.Е., Князева О.Р. // ФТП. 1969. Т. 3. № 5. С. 760–763.
302. Varly Т.H.О. // Nature. 1954. Vol. 174. № 4436. Р. 886–887.
303. Лущик Ч.Б. // В сб. Материалы школы по радиационным и другим дефектам в твердых телах. Тбилиси, 1974. Т. 1. С. 319–346.
304. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981.
305. Канеев М.А., Князева О.Р., Князев Х.Р. // В сб. Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах. Ташкент. ФТИ, 1969. С. 63.
306. Бродин М.С., Давыдова Н.А., Шаблий И.Ю. // ФТП. 1976. Т. 10. № 1. С. 625–630.
307. Крюкова И.В., Копаев В.В., Копаев Ю.В., Костин Н.Н. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. № 2. С. 137–140.
308. Васина Н.И., Копалин Н.Г., Крюкова И.В., Прокофьева С.П. // В сб. Оптико-физические измерения. М.: Изд-во стандартов, 1477. С. 168–171.
309. Копалин Н.Г., Крюкова И.В., Прокофьева С.П., Сарпов Н.И. // Сб. ВИМИ «Техника, технология, экономика». Сер. Техноло-гия. 1979. № 20. ЦНИИ «Электроника» № 6220179.
310. Халл Д. Введение в дислокации. М.: Атомиздат, 1968.
311. Маттаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974.
312. Гиппиус А.А., Колесник А.Н. Влияние дислокаций на электри-ческие и оптические свойства полупроводников. Л.: Наука, 1967.
313. Гаркавенко А.С. // Труды УНИИРТ. 2000. Т. 1. № 21. С. 65–68.
314. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977.
315. Котрел А. Теория дислокации. М.: Мир, 1969.
316. Chermant J.L. // Bull. Soc. Trans. Cerm. 1975. Vol. 108. Р. 39–52.
317. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластич-ность и прочность полупроводниковых материалов и струк-тур. М.: Радио и связь, 1982. С. 239.
318. Мильман Ю.В., Трефилов В.И. // Наукова думка, 1966. С. 59–76.
319. Григорьев О.Н., Гриднева И.В., Крюкова И.В. и др. // ФизХОМ. 1975. № 3. С. 117–120.
320. Богданкевич О.В., Гробовский Д.П., Крюкова И.В. и др. // Тру-ды V Всесоюзного совещания по физике и техническому при-менению полупроводников AIIBVI. Вильнюс, 1983. С. 74.
321. А. с. (CCCP) № 266372, Крюкова И.В., Красавина Е.М., Кос-тин Н.Н., Матвеенко Е.В.; Приоритет от 1.12.1987 г.
322. А. с. (СССР) № 703939, Бендовский Е.Б., Клевков Ю.В., Крю-кова И.В.
323. А. с. (СССР) № 60921, Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В., Царапаева Е.В.; Приоритет от 21.01.1972 г., А. с. (СССР) № 64338. Приоритет от 19.07.1972 г.
324. Постников В.С. Физика и химия твердого состояния. М.: Ме-таллургия, 1978.
325. Бочкарёв Э.П., Брагинская А.Г., Крюкова И.В и др. // Письма ЖТФ. 1981. Т. 7. № 23. С. 1455–1458.
326. Долгинов Л.М., Елисеев Л.Г., Мильвидский М.Г. // Квант. элек-троника. 1976. Т. 3. № 7. С. 1381–1393.
327. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Насибов А.С. // Квант. элек-троника. 1971. Т. 12. С. 2105.
328. Дарзнек С.А., Зверев М.М., Ушахин В.А. // Квант. электроника. 1974. Т. 1. С. 2281.
329. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. элек-троника. 1972. Т. 3. № 9. С. 99–101.
330. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. I Всесо-юзной научно-технической конференции «Фотометрические измерения и их метрологическое обеспечение»: Тезисы докла-дов. М. 1974. С. 301.
331. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1985. Т. 12. № 7. С. 1517.
332. А. с. (СССР) № 249891, Богданкевич О.В., Крюкова И.В., Кра-савина Е.М., Зверев М.М.; Приоритет от 04.08.85 г.
333. Голубков П.П., Заворотный С.И., Овчинников А.А. Приборы и техника эксперимента. 1984. № 6. С. 139–140.
334. Богданкевич О.В., Костин Н.Н., Крюкова И.В. // В трудах XIII Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике. Минск, 1988. Т. 3. С. 161.
335. Арсеньев В.Г., Богданкевич О.В. // Квант. электроника. 1986. Т. 13. С. 2373.
336. Козловский В.И., Марков Е.В., Насибов А.С. и др. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. С. 873.
337. Крюкова И.В., Петровский Г.Т., Жулай В.Я. и др. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. № 2. С. 137–140.
338. Богданкевич О.В, Дарзнек С.А., Крюкова И.В. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. № 3. С. 136–139.
339. Марков Е.В., Давыдов А.А. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганиче-ские материалы. 1975. Т. 11. № 10. С. 1755–1758.
340. А. с. (CCCP) № 1398489. Крюкова И.В., Марков Е.В., Теплиц-кий В.И.; Приоритет от 21.04.1986 г.
341. Балтрамиюнас Р., Жукаускас А., Латинис В., Юршенас С. // Письма в ЖЭТФ. 1987. Т. 46. С. 67.
342. Вайнерт Х., Жукаускас А., Латинис В., Степанкявичус В. // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 47. С. 340.
343. Baltramiejunas R., Zukauskas A. // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. Vol. 149. С. 337.
344. Акустические кристаллы / Под. ред. М.П. Шаскольской. М.: Наука, 1982.
345. Жукаускас С.А., Крюкова И.В., Латинис В. // Литовский физи-ческий сборник. 1990. Т. 30. С. 362.
346. Жукаускас С.А., Крюкова И.В. // II Европейская конференция по квантовой электронике. Дрезден, 1989. С. 159.
347. Жукаускас А., Крюкова И.В. // Квант. электроника. 1990. Т. 17. № 7. С. 872–876.
348. G. Shah. // IEEE. J. 1986. Vol. QE-22. С. 1728.
349. Levinson Y.B. // In: Noneuilibrium phonons in nonmetallic crystals. Amsterdam: North-Holland, (1986).
350. Балтрамиюнас Р., Жукаускас А., Тамулайтис С. // ЖЭТФ. 1986. Т. 91. С. 1909.
351. Диджюлис А.А., Шатковский Е.В. // ФТП. 1988. Т. 22. С. 1412.
352. Osward R.B. // JEEE. Trans. On Nuclear Sciene. 1966. Vol. 13. С. 63.
353. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Тезисы докл. V Всес. сов. «Физика и техническое применение полу-проводников AIIBVI». Вильнюс. 1983. С. 74.
354. Богданкевич Л.В., Рухадзе А.А. // Письма в ЖЭТФ. 1971. Т. 13. С. 517–519.
355. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Новоси-бирск: Наука, 1982. С. 226.
356. Богданкевич О.В., Костин Н.Н., Крюкова И.В. и др. // Физ-ХОМ. 1988. С. 32–38.
357. Богданкевич О.В., Донской Е.Д., Коваленко В.А. и др. // Квант. электроника. 1983. Т. 10. № 11. С. 2236.
358. Беспалько А.А. Кандидатская диссертация. Институт сильно-точной электронники СОАН. г. Томск, 1982. С. 171.
359. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Тезисы докл. V Всес. сов. «Физика и техническое применение полу-проводников AIIBIV». Вильнюс, 1983. С. 74.
360. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1986. Т. 13. № 10. С. 2132–2134.
361. Богданкевич О.В., Крюкова И.В. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. Т. 23. № 10. С. 1618.
362. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Паниткин Ю.Г., Тарасов М.Д. // Труды X Всесоюзной научно-технической конференции «Вы-сокоскоростная фотография и метрология быстропротекаю-щих процессов». М., 1981. Ч. 1. С. 81.
363. А. с. (СССР) № 1436813, Астафьев И.А., Богданкевич О.В., Крюкова И.В., Зверев М.М., Певцов В.Ф.; Приоритет от 01.07.86 г.
364. Богданкевич О.В., Воробьев Н.Д., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1985. Т. 12. № 7. С. 1519–1521.
365. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1987. Т. 14. № 3. С. 605–606.
366. Месяц Г.А. Генерирование мощных наносекундных импуль-сов. М.: Сов. радио, 1974. С. 256.
367. Месяц Г.А., Насибов А.С., Кремнев В.В. Формирование нано-секундных импульсных источников ускоренных электронов. М.: Наука, 1974. С. 168.
368. Богданкевич О.В., Бурлаков Ю.В., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1987. Т. 14. С. 605.
369. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1988. Т. 15. С. 2015.
370. Белкин Н.В., Богданкевич О.В., Крюкова И.В. и др. // ПТЭ. 1976. № 2. С. 170–171.
371. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1987. Т. 14. № 1. С. 218.
372. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. элек-троника. 1976. Т. 3. № 10. С. 2302.
373. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. элек-троника. 1972. Т. 9. № 3. С. 110.
374. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. Исполь-зование оптических квантовых генераторов в современной технике и медицине. Л.: Знание, 1971. Т. 2. № 3. С. 15–20.
375. Акимов Ю.А., Буров А.А., Коваленко В.А. и др. // В сб. I Всесо-юзная научно-техническая конференция «Фотометрические измерения и их метрологическое обеспечение». М., Издатель-ство стандартов, 1974. С. 199.
376. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. Дистан-ционные измерения и регистрация однократных быстропроте-кающих процессов. Научные труды ВНИИОФИ. Сер. В. № 2. 1973.
377. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. Импульс-ная фотометрия, 1973. № 3. С. 141–143.
378. А. с. (СССР) № 60921, Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюко- ва И.В., Царапаева Е.В.; Приоритет от 21.01.72 г.
379. А. с. (СССР) № 64338, Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюко- ва И.В., Царапаева Е.В.; Приоритет от 19.07.72 г.
380. Буров А.А., Крюкова И.В., Крученов А.Н. и др. // В сб. X Все-союзной Научно-технической конференции «Высокоскорост-ная фотография и метрология быстропротекающих процес-сов»: Тезисы докладов. М.: Изд-во стандартов, 1981. С. 79.
381. А. с. (СССР) № 703939, Бендовский Е.Б., Клевков Ю.В., Крю-кова И.В. и др.; Приоритет от 20 января 1977 г.
382. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. X Всесо-юзная научно-техническая конференция «Высокоскоростная фотография и метрология быстропротекающих процессов». М.: ВНИИОФИ, 1981. С. 79.
383. Гендель В.С., Говорков О.И., Крюкова И.В. и др. // В сб. науч-ных трудов молодых ученых и специалистов «Оптико-физические измерения». Изд-во стандартов. 1977. С. 49–51.
384. Акимов Ю.В., Буров А.А., Кобецкий Б.И., Корчагин М.В. // ПТЭ. 1977. № 5. С. 239.
385. Акимов Ю.А., Буров А.А., Кобецкий Б.И. и др. // В сб. Всесоюз-ной научно-технической конференции «Современное состоя-ние и перспективы развития высокоскоростной фотографии и кинематографии и метрологии быстропротекающих процес-сов». Тезисы докладов. М., 1979. С. 131.
386. Буров А.А., Красавина Е.М., Крюкова И.В., Родиченко Г.В. // Квант. электроника. 1986. Т. 13. № 12. С. 2529.
387. Григорьев О.Н., Гриднева И.В., Крюкова И.В. и др. // ФизХОМ. 1975. Т. 3. С. 117.
388. Курбатов Л.Н., Козина Г.С. и др. // Квант. электроника. 1980. Т. 7. С. 384 // Квант. электроника. 1974. Т. 1. С. 2399.
389. Зверев М.М., Перегудов Д.В. и др. // Квант. электроника. 2004. Т. 34. № 10. С. 909.