Исследование полупроводниковых диодов в MicroСap, Multisim и MathCAD

Изложены особенности проведения лабораторных исследований свойств полупроводниковых диодов, моделирования стендов для исследования. Рассмотрено взаимодействие программ схемотехнического моделирования MicroСap и программ математической обработки экспериментальных данных. Приведены особенности проведения экспериментов для расчета моделей полупроводниковых диодов.

Для студентов, обучающихся по направлению подготовки "Радиоэлектронные системы и комплексы". Может быть полезно при курсовом и дипломном проектировании.

Список литературы

1. Амелина М.А., Амелин С.А. Программа схемотехнического моделирования MicroCap. Версии 9, 10. Смоленск: Смоленский филиал НИУ МЭИ, 2012. 617 с.
2. Гурский Д.А., Турбина Е.С. Вычисления в MCAD 12. СПб.: Питер, 2006. 544 с.
3. Загидуллин Р.Ш. Лабораторный практикум по курсам «Дополнительные главы информатики», «Основы электроники»: в 2 ч. Ч. 1: Введение в работу с программой MCAD. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2012. 73 с.
4. Марченко А.Л. Основы электроники. М.: ДМК-Пресс, 2008. 296 с.
5. Хернитер М.К. Multisim 7. Современная система компьютерного моделирования и анализа схем электронных устройств. М.: ДМК-Пресс, 2006. 488 с.
6. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: в 2 т. М.: Мир, 1983